IRFU9120PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.43 грн |
| 75+ | 51.68 грн |
| 150+ | 50.00 грн |
| 525+ | 45.99 грн |
| 1050+ | 43.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9120PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU9120PBF за ціною від 55.15 грн до 176.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9120PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU9120PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFU9120PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 173.60 грн |
| 10+ | 88.23 грн |
| 50+ | 76.36 грн |
| 75+ | 72.96 грн |
| 150+ | 68.72 грн |
| 375+ | 61.93 грн |
| 1050+ | 55.15 грн |
| IRFU9120PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 176.18 грн |
| 102+ | 139.73 грн |
| 125+ | 113.49 грн |
| 150+ | 98.74 грн |
| 375+ | 81.74 грн |
| 1050+ | 68.40 грн |