Продукція > VISHAY > IRFU9120PBF
IRFU9120PBF

IRFU9120PBF Vishay

sihfr912.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU9120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFU9120PBF за ціною від 23.53 грн до 113.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
435+28.43 грн
438+28.19 грн
500+27.59 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+32.07 грн
24+30.31 грн
100+30.07 грн
500+28.36 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.80 грн
75+53.09 грн
150+51.37 грн
525+47.25 грн
1050+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr912.pdf MOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+55.43 грн
100+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.62 грн
10+67.47 грн
25+60.41 грн
38+25.10 грн
103+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.16 грн
15+60.24 грн
100+59.98 грн
500+54.68 грн
1000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.54 грн
10+84.07 грн
25+72.49 грн
38+30.12 грн
103+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.