Продукція > VISHAY > IRFU9120PBF
IRFU9120PBF

IRFU9120PBF VISHAY

IRFx9120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.22 грн
10+87.03 грн
50+75.31 грн
75+71.96 грн
150+67.78 грн
375+61.09 грн
1050+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU9120PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFU9120PBF за ціною від 68.25 грн до 175.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.79 грн
102+139.42 грн
125+113.23 грн
150+98.52 грн
375+81.56 грн
1050+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY VISH-S-A0013857025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF sihfr912.pdf
IRFU9120PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+175.79 грн
102+139.42 грн
125+113.23 грн
150+98.52 грн
375+81.56 грн
1050+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF VISH-S-A0013857025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU9120PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.