на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.38 грн |
| 10+ | 133.25 грн |
| 100+ | 101.22 грн |
| 500+ | 83.24 грн |
| 1000+ | 65.06 грн |
| 3000+ | 61.33 грн |
| 6000+ | 59.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9220PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU9220PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFU9220PBF | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFU9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|
 |
IRFU9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|
|
|
IRFU9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|
| IRFU9220PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRFU9220PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| IRFU9220PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |