
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 23.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9310PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFU9310PBF за ціною від 28.63 грн до 157.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 23465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF Код товару: 73659
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU9310PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |