Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFUC20PBF

IRFUC20PBF

sihfrc20.pdf
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFUC20PBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 25.08 грн до 66.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.68 грн
291+48.66 грн
293+48.18 грн
296+46.00 грн
500+42.16 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.06 грн
15+53.55 грн
25+48.55 грн
50+46.35 грн
100+42.49 грн
500+40.38 грн
1000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf description MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+53.68 грн
291+48.66 грн
293+48.18 грн
296+46.00 грн
500+42.16 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
256+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.06 грн
15+53.55 грн
25+48.55 грн
50+46.35 грн
100+42.49 грн
500+40.38 грн
1000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFUC20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.