Продукція > VISHAY > IRFUC20PBF
IRFUC20PBF

IRFUC20PBF Vishay

sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFUC20PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 28.27 грн до 119.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.82 грн
10+ 37.1 грн
25+ 32.52 грн
26+ 30.81 грн
72+ 28.75 грн
300+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
208+56.16 грн
224+ 52 грн
Мінімальне замовлення: 208
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.84 грн
12+ 52.14 грн
100+ 48.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+60.5 грн
220+ 52.94 грн
1000+ 42.82 грн
Мінімальне замовлення: 193
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.58 грн
6+ 46.24 грн
25+ 39.02 грн
26+ 36.97 грн
72+ 34.5 грн
300+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.17 грн
11+ 55.55 грн
100+ 48.61 грн
1000+ 37.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.97 грн
10+ 70.29 грн
1000+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.43 грн
10+ 90.68 грн
100+ 73.72 грн
500+ 59.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFUC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFUC20PBF IRFUC20PBF
Код товару: 25612 		sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товар відсутній