Продукція > VISHAY > IRFUC20PBF
IRFUC20PBF

IRFUC20PBF Vishay


sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+48.87 грн
291+44.30 грн
293+43.86 грн
296+41.87 грн
500+38.38 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFUC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 24.46 грн до 114.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.61 грн
15+52.24 грн
25+47.35 грн
50+45.21 грн
100+41.44 грн
500+39.39 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.16 грн
2025+47.95 грн
3000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.65 грн
10+82.04 грн
100+55.63 грн
500+49.12 грн
1000+43.56 грн
3000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY sihfrc20.pdf Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.45 грн
10+82.43 грн
100+66.67 грн
500+49.20 грн
1000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар

sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.