Технічний опис IRFUC20PBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transist
Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 58.66 грн до 321.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFUC20PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 174 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp |
на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFUC20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm |
на замовлення 2881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFUC20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.92 грн |
| 10+ | 67.78 грн |
| 75+ | 63.68 грн |
| 150+ | 58.66 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 111.96 грн |
| 75+ | 88.44 грн |
| 150+ | 85.90 грн |
| 525+ | 82.01 грн |
| 1050+ | 75.19 грн |
| 2025+ | 71.45 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 112.31 грн |
| 160+ | 88.72 грн |
| 164+ | 86.18 грн |
| 525+ | 82.26 грн |
| 1050+ | 75.42 грн |
| 2025+ | 71.67 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 122.10 грн |
| 124+ | 114.72 грн |
| 150+ | 105.63 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.62 грн |
| 75+ | 106.25 грн |
| 150+ | 96.33 грн |
| 525+ | 77.16 грн |
| 1050+ | 71.43 грн |
| 2025+ | 66.84 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 321.11 грн |
| 75+ | 151.13 грн |
| 150+ | 137.02 грн |
| 525+ | 112.76 грн |
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFUC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








