на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 26.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFUC20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 22.73 грн до 142.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFUC20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFUC20PBF | Виробник : VISHAY |
IRFUC20PBF THT N channel transistors |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRFUC20PBF Код товару: 25612
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|