Продукція > VISHAY > IRFUC20PBF
IRFUC20PBF

IRFUC20PBF Vishay

sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFUC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 22.05 грн до 134.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+47.08 грн
291+42.68 грн
293+42.26 грн
296+40.34 грн
500+36.98 грн
1000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.50 грн
10+45.45 грн
25+43.56 грн
26+35.78 грн
71+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.50 грн
15+50.32 грн
25+45.62 грн
50+43.56 грн
100+39.93 грн
500+37.95 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
10+56.64 грн
25+52.28 грн
26+42.93 грн
71+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.24 грн
10+58.34 грн
100+50.50 грн
500+50.28 грн
1000+49.37 грн
3000+42.43 грн
9000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.65 грн
11+80.79 грн
100+77.32 грн
500+70.69 грн
1000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар

sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.