
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.31 грн |
10+ | 103.22 грн |
100+ | 71.29 грн |
250+ | 65.70 грн |
500+ | 56.13 грн |
800+ | 48.26 грн |
2400+ | 46.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ14STRLPBF Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ14STRLPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ14STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFZ14STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |