| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.65 грн |
| 10+ | 89.80 грн |
| 100+ | 70.42 грн |
| 500+ | 61.15 грн |
| 1000+ | 56.34 грн |
| 2000+ | 53.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ20PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ20PBF-BE3 за ціною від 81.12 грн до 190.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ20PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFZ20PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |