IRFZ24PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.94 грн |
10+ | 64.9 грн |
29+ | 27.93 грн |
78+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ24PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ24PBF за ціною від 31.71 грн до 105.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ24PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ24PBF Код товару: 115082 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |