IRFZ24PBF


irfz24.pdf
Код товару: 115082
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ24PBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • Continuous Drain Current - 25 Deg C:17A
  • Drain-Source Breakdown Voltage:55V

Інші пропозиції IRFZ24PBF за ціною від 44.60 грн до 236.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay irfz24.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.41 грн
133+106.72 грн
250+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irfz24.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.78 грн
10+57.49 грн
50+50.96 грн
100+48.20 грн
250+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Siliconix irfz24.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.97 грн
50+114.05 грн
100+102.99 грн
500+78.44 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irfz24.pdf description Description: VISHAY - IRFZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Semiconductors irfz24.pdf description MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.41 грн
133+106.72 грн
250+92.29 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.78 грн
10+57.49 грн
50+50.96 грн
100+48.20 грн
250+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.97 грн
50+114.05 грн
100+102.99 грн
500+78.44 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.