IRFZ30 (IR) - Транзистори - Польові N-канальні

IRFZ30

IRFZ30

Код товару: 77986
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1250/26
Монтаж: THT
irfz30pbf_juiodeyw3.pdf
В наявності/на замовлення

Технічний опис IRFZ30

Ціна IRFZ30 від 0 грн до 0 грн

IRFZ30
IRFZ30
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFZ34PBF
sup40n2560-1129289.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFZ30
IRFZ30
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
IRFZ30,%20IRFZ32.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик