IRFZ40PBF-BE3

IRFZ40PBF-BE3 Vishay / Siliconix


irfz40.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 3225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.91 грн
10+ 135.21 грн
100+ 93.13 грн
250+ 85.87 грн
500+ 78.6 грн
1000+ 68.69 грн
2000+ 65.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ40PBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ40PBF-BE3 за ціною від 89.09 грн до 176.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFZ40PBF-BE3 IRFZ40PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix irfz40.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.48 грн
50+ 136.35 грн
100+ 112.19 грн
500+ 89.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFZ40PBF-BE3 IRFZ40PBF-BE3 Виробник : Vishay irfz40.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A
товар відсутній