IRFZ40PBF

IRFZ40PBF Vishay


irfz40.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ40PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ40PBF за ціною від 75.35 грн до 175.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay irfz40.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay Siliconix irfz40.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.21 грн
50+78.31 грн
100+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay irfz40.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+129.93 грн
100+124.12 грн
250+119.15 грн
500+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfz40.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.10 грн
10+112.82 грн
100+88.59 грн
500+78.34 грн
1000+77.61 грн
10000+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF
Код товару: 150975
Додати до обраних Обраний товар

irfz40.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay doc91385.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : Vishay irfz40.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013856922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF Виробник : VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF Виробник : VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.