
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 76.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ40PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ40PBF за ціною від 75.35 грн до 175.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFZ40PBF Код товару: 150975
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFZ40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFZ40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IRFZ40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |