на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.83 грн |
| 10+ | 126.20 грн |
| 100+ | 104.40 грн |
| 500+ | 86.88 грн |
| 1000+ | 77.73 грн |
| 2000+ | 76.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44RPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFZ44RPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFZ44RPBF за ціною від 99.23 грн до 263.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44RPBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFZ44RPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFZ44RPBF | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRFZ44RPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |