
IRFZ44RPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.16 грн |
50+ | 111.18 грн |
100+ | 105.41 грн |
500+ | 84.19 грн |
1000+ | 74.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44RPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFZ44RPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFZ44RPBF за ціною від 80.55 грн до 242.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ44RPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFZ44RPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44RPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRFZ44RPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRFZ44RPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |