на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.11 грн |
| 10+ | 143.15 грн |
| 100+ | 116.08 грн |
| 500+ | 95.46 грн |
| 1000+ | 86.30 грн |
| 2000+ | 85.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ48PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ48PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFZ48PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFZ48PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFZ48PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| IRFZ48PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |