Продукція > VISHAY > IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF

IRFZ48RPBF Vishay

irfz48r.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+214.06 грн
69+185.68 грн
100+173.85 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48RPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ48RPBF за ціною від 89.65 грн до 275.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.50 грн
10+126.73 грн
50+110.06 грн
100+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.60 грн
10+157.93 грн
50+132.07 грн
100+124.07 грн
500+105.06 грн
1000+103.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay Semiconductors irfz48r.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.01 грн
10+144.52 грн
100+119.26 грн
500+97.65 грн
1000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay Siliconix irfz48r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.34 грн
50+134.31 грн
100+121.62 грн
500+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay 91295.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay irfz48r.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.