Продукція > VISHAY > IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF

IRFZ48RPBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.28 грн
11+85.42 грн
29+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48RPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ48RPBF за ціною від 88.09 грн до 255.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay Siliconix irfz48r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.36 грн
50+121.67 грн
100+114.84 грн
500+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay Semiconductors irfz48r.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.68 грн
10+201.95 грн
25+126.99 грн
100+119.01 грн
500+97.96 грн
1000+90.71 грн
2000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.94 грн
11+106.44 грн
29+97.06 грн
2000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay 91295.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF Виробник : Vishay irfz48r.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.