IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.03 грн |
| 10+ | 166.29 грн |
| 100+ | 118.21 грн |
| 500+ | 102.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ48RSPBF за ціною від 117.71 грн до 298.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ48RSPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFZ48RSPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFZ48RSPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFZ48RSPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRFZ48RSPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 190W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IRFZ48RSPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 190W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |