Продукція > Транзистори > IGBT > IRG4PC50WPBF

IRG4PC50WPBF

Name: IRG4PC50WPBF
Brand: IR
SKU: 24036
Price: 419 UAH
Availability: InStock

Код товару: 24036

Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 55 A
Ic 100: 27 A
Pd 25: 178 W

у наявності 4 шт:

3 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	419.00 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRG4PC50WPBF IR

IGBT, 600V, 55A, TO-247AC
Transistor Type:IGBT
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:600V
Max Current Ic Continuous a:55A
Max Voltage Vce Sat:2.3V
Power Dissipation:200W
Case Style:TO-247AC
Termination Type:Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
Current Temperature:25`C
Device Marking:IRG4PC50WPBF
Fall Time Tf:120ns
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Fall Time:120ns
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation Pd:200W
Pulsed Current Icm:220A
Rise Time:33ns

Інші пропозиції IRG4PC50WPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRG4PC50WPBF		IRG4PC50WPBF Транзисторы IGB-transistors	на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRG4PC50WPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRG4PC50WPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRG4PC50WPBF - IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 55 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRG4PC50WPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT 600V 55A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/120ns Switching Energy: 80µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRG4PC50WPBF	Виробник : Infineon Technologies	IGBTs 600V Warp 60-150kHz	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRG4PC50WPBF	Виробник : Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 27A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.