IRL2910PBF

IRL2910PBF


irl2910-datasheet.pdf
Код товару: 99525
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 51 шт:

25 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+95.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL2910PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 48A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.026ohm
  • Max Voltage Vgs:2V
  • Power Dissipation:200W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:55A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRL2910PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl2910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies irl2910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9013250b Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL2910_DataSheet_v01_01_EN-3363555.pdf MOSFETs MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PS909L-22
Код товару: 123834
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Canal Electronic
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Мікроперемикачі
Монтаж: THT
Габарити: 8x9 mm
Довжина штока: 10,8 mm
Опис Опис: Мікроперемикач DPDT/ON-ON
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 100mA / 30VDC
у наявності: 133 шт
117 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
2+17.00 грн
10+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.