Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRL2910PBF
IRL2910PBF

IRL2910PBF

irl2910-datasheet.pdf
Код товару: 99525
Виробник: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 67 шт:
44 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+95 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL2910PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 48A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.026ohm
  • Max Voltage Vgs:2V
  • Power Dissipation:200W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:55A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRL2910PBF за ціною від 65.56 грн до 177.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL2910_DataSheet_v01_01_EN-3363555.pdf MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.96 грн
10+ 152.29 грн
100+ 121.23 грн
250+ 117.93 грн
500+ 101.46 грн
1000+ 74.45 грн
5000+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+177.38 грн
10+ 148.56 грн
100+ 132.3 грн
500+ 105.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies irl2910pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl2910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910PBF IRL2910PBF Виробник : Infineon Technologies irl2910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9013250b Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній

З цим товаром купують

1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Код товару: 18266		 multilayer_ceramic_capaacitorsepoxy.pdf
1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 5,08 mm
Part Number: R15N102J2AH5-L
у наявності: 1172 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
G1502 (Gainta, корпус пластиковий з алюмінієвою передньою панеллю, 228х216х76/50мм)
Код товару: 31595		 G1502.pdf
G1502 (Gainta, корпус пластиковий з алюмінієвою передньою панеллю, 228х216х76/50мм)
Виробник: Gainta
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: корпус із алюмінієвою передньою панеллю, 4 гумові ніжки
Вид, тип, група: Корпуси
Матеріал: Пластик + алюміній
Колір: алюмінієвий
Довжина, мм: 216,0 mm
Ширина, мм: 228,0 mm
Висота, мм: 76,0 mm
у наявності: 12 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+520 грн
UC3842AN (DIP-8)
Код товару: 3097		 UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використування
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
у наявності: 44 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3032		 EHR_081225.pdf
470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1139 шт
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.5 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP60NF06
Код товару: 2993		 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 681 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн