IRL2910PBF
Код товару: 99525
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 51 шт:
25 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 95.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL2910PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 48A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.026ohm
- Max Voltage Vgs:2V
- Power Dissipation:200W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:55A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:190A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRL2910PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRL2910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
IRL2910PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|
|
IRL2910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
IRL2910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| PS909L-22 Код товару: 123834
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Canal Electronic
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Мікроперемикачі
Монтаж: THT
Габарити: 8x9 mm
Довжина штока: 10,8 mm
Опис Опис: Мікроперемикач DPDT/ON-ON
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 100mA / 30VDC
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Мікроперемикачі
Монтаж: THT
Габарити: 8x9 mm
Довжина штока: 10,8 mm
Опис Опис: Мікроперемикач DPDT/ON-ON
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 100mA / 30VDC
у наявності: 133 шт
117 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 17.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |




