IRL3713PBF VBsemi

---

Код товару: 198923

Виробник: VBsemi
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT

у наявності 20 шт:

---

10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	70.00 грн
10+	65.00 грн

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRL3713PBF VBsemi

Можливі заміни IRL3713PBF VBsemi

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IRL3713PBF Код товару: 35005 Додати до обраних Обраний товар	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT	у наявності: 2 шт згорнути розгорнути 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна 1+ 85.00 грн 10+ 77.00 грн купити В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRL3713PBF за ціною від 77.00 грн до 85.00 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IRL3713PBF Код товару: 35005 Додати до обраних Обраний товар	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT	у наявності: 2 шт згорнути розгорнути 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна 1+ 85.00 грн 10+ 77.00 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IRL3713PBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Батарейка CR2032 літієва 3V 1шт. EEMB в блістері Код товару: 201399 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: EEMB
Батарейки
Матеріал: літієва (Li-MnO2)
Розмір: CR2032
Напруга, V: 3 V
Примітка: Ємність: 210 мАгод
Форма: Таблетка
Ємність, mAh: 210 мАгод

у наявності: 1 шт

згорнути розгорнути

1 шт - РАДІОМАГ-Харків

очікується: 4000 шт

згорнути розгорнути

4000 шт - очікується 10.06.2025

Кількість	Ціна
1+	15.00 грн
10+	10.00 грн
100+	7.90 грн
1000+	6.85 грн

купити

В кошику  од. на суму  грн.