IRL3713PBF Infineon Technologies
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 131.85 грн |
| 500+ | 119.09 грн |
| 1000+ | 109.52 грн |
| 10000+ | 94.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3713PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRL3713PBF за ціною від 65.00 грн до 85.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL3713PBF Код товару: 198923
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
|
IRL3713PBF Код товару: 35005
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
|
|
IRL3713PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRL3713PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRL3713PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB |
товару немає в наявності |



