IRL510PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.77 грн |
| 50+ | 36.21 грн |
| 100+ | 36.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL510PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL510PBF-BE3 за ціною від 34.82 грн до 150.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL510PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRL510PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |