IRL510PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.23 грн |
| 50+ | 38.00 грн |
| 100+ | 37.68 грн |
| 500+ | 32.04 грн |
| 1000+ | 31.52 грн |
| 2000+ | 30.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL510PBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRL510PBF за ціною від 29.77 грн до 121.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL510PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 13740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 13740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRL510PBF | Виробник : VISHAY |
IRL510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRL510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |