Продукція > VISHAY > IRL510PBF
IRL510PBF

IRL510PBF Vishay

sihl510.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL510PBF Vishay

Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL510PBF за ціною від 34.29 грн до 121.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : Vishay irl510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+52.09 грн
246+52.07 грн
247+51.86 грн
500+44.89 грн
1000+38.91 грн
2000+37.00 грн
5000+35.57 грн
10000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : Vishay irl510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+55.84 грн
50+55.81 грн
100+55.59 грн
500+48.12 грн
1000+41.70 грн
2000+39.65 грн
5000+38.13 грн
10000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : Vishay Siliconix irl510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.91 грн
50+42.13 грн
100+41.77 грн
500+35.52 грн
1000+34.95 грн
2000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019268336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.38 грн
18+51.05 грн
100+50.60 грн
500+42.56 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.35 грн
10+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+65.91 грн
50+52.84 грн
100+48.91 грн
250+44.97 грн
500+42.71 грн
1000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : Vishay Semiconductors irl510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.24 грн
10+70.71 грн
100+46.61 грн
500+40.23 грн
1000+35.03 грн
5000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Виробник : Vishay irl510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.