Продукція > VISHAY > IRL510PBF
IRL510PBF

IRL510PBF Vishay

irl510.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
332+42.72 грн
333+42.59 грн
345+41.16 грн
500+35.77 грн
1000+32.50 грн
2000+22.91 грн
5000+22.69 грн
10000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL510PBF Vishay

Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

Інші пропозиції IRL510PBF за ціною від 22.53 грн до 142.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL510PBF IRL510PBF Vishay irl510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.87 грн
50+42.73 грн
100+41.31 грн
500+35.89 грн
1000+32.61 грн
2000+23.00 грн
5000+22.76 грн
10000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Vishay irl510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.32 грн
178+80.04 грн
250+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY IRL510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.38 грн
10+61.91 грн
50+47.37 грн
100+43.46 грн
250+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Vishay Semiconductors irl510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+84.95 грн
100+55.37 грн
500+43.91 грн
1000+38.94 грн
2000+35.55 грн
5000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF Vishay Siliconix irl510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
50+61.70 грн
100+55.17 грн
500+41.02 грн
1000+37.56 грн
2000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY VISH-S-A0019268336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
13+64.59 грн
100+47.92 грн
500+37.69 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF irl510.pdf
IRL510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.87 грн
50+42.73 грн
100+41.31 грн
500+35.89 грн
1000+32.61 грн
2000+23.00 грн
5000+22.76 грн
10000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF irl510.pdf
IRL510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.32 грн
178+80.04 грн
250+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510.pdf
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.38 грн
10+61.91 грн
50+47.37 грн
100+43.46 грн
250+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF irl510.pdf
IRL510PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.06 грн
10+84.95 грн
100+55.37 грн
500+43.91 грн
1000+38.94 грн
2000+35.55 грн
5000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF irl510.pdf
IRL510PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.58 грн
50+61.70 грн
100+55.17 грн
500+41.02 грн
1000+37.56 грн
2000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF VISH-S-A0019268336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.56 грн
13+64.59 грн
100+47.92 грн
500+37.69 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.