на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.54 грн |
| 10+ | 84.64 грн |
| 100+ | 53.47 грн |
| 500+ | 46.41 грн |
| 800+ | 38.90 грн |
| 2400+ | 37.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL510STRLPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL510STRLPBF за ціною від 59.30 грн до 144.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRL510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRL510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IRL510STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
IRL510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IRL510STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |