IRL520PBF-BE3

IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.88 грн
50+ 72.55 грн
100+ 57.49 грн
500+ 45.73 грн
1000+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL520PBF-BE3 за ціною від 34.38 грн до 97.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL520PBF-BE3 IRL520PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.36 грн
10+ 63.88 грн
100+ 47.4 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 36.52 грн
2000+ 35.38 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520PBF-BE3 IRL520PBF-BE3 Виробник : Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A
товар відсутній