Продукція > VISHAY > IRL540SPBF
IRL540SPBF

IRL540SPBF Vishay


sihl540s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.28 грн
9+75.17 грн
10+74.22 грн
25+67.71 грн
100+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL540SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL540SPBF за ціною від 76.19 грн до 269.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL540SPBF IRL540SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0011155887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.57 грн
10+125.28 грн
100+113.43 грн
500+84.11 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF IRL540SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihl540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.55 грн
10+135.38 грн
100+107.91 грн
500+105.64 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF IRL540SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihl540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.37 грн
50+131.36 грн
100+118.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF IRL540SPBF Виробник : Vishay sihl540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF Виробник : VISHAY sihl540s.pdf
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF IRL540SPBF Виробник : Vishay sihl540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF Виробник : VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF Виробник : VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.