Технічний опис IRL540SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL540SPBF за ціною від 96.66 грн до 283.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL540SPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL540SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRL540SPBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IRL540SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRL540SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |