IRL620PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.48 грн |
| 50+ | 88.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL620PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole.
Інші пропозиції IRL620PBF-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL620PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL620PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)