IRL620PBF-BE3

IRL620PBF-BE3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.82 грн
50+ 88.03 грн
100+ 72.43 грн
500+ 57.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL620PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL620PBF-BE3 за ціною від 48.21 грн до 125.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL620PBF-BE3 IRL620PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.08 грн
10+ 98.79 грн
100+ 71.26 грн
250+ 65.66 грн
500+ 59.27 грн
1000+ 49.55 грн
2000+ 48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL620PBF-BE3 IRL620PBF-BE3 Виробник : Vishay irl620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній