на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.63 грн |
| 10+ | 98.47 грн |
| 100+ | 74.74 грн |
| 250+ | 63.86 грн |
| 500+ | 61.39 грн |
| 1000+ | 54.50 грн |
| 2000+ | 52.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL620PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL620PBF-BE3 за ціною від 89.18 грн до 189.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL620PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRL620PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |