IRL620PBF VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 96.37 грн |
| 10+ | 79.93 грн |
| 100+ | 58.94 грн |
| 500+ | 49.39 грн |
| 1000+ | 37.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL620PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRL620PBF за ціною від 47.55 грн до 125.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL620PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL620PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRL620PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 20350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRL620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRL620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRL620PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRL620PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |