Продукція > VISHAY > IRL620SPBF
IRL620SPBF

IRL620SPBF VISHAY

VISH-S-A0013439297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.66 грн
10+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL620SPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL620SPBF за ціною від 93.94 грн до 216.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL620SPBF IRL620SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihl620s.pdf MOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+154.45 грн
100+132.84 грн
250+115.22 грн
500+110.09 грн
1000+95.41 грн
2000+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF IRL620SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihl620s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF IRL620SPBF Виробник : Vishay 91302.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF IRL620SPBF Виробник : Vishay sihl620s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF Виробник : VISHAY sihl620s.pdf IRL620SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.