IRL620STRLPBF Vishay Semiconductors
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 163.54 грн |
| 10+ | 134.20 грн |
| 100+ | 92.47 грн |
| 250+ | 85.87 грн |
| 500+ | 80.73 грн |
| 800+ | 63.48 грн |
| 2400+ | 63.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL620STRLPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL620STRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL620STRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRL620STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
| IRL620STRLPBF | Виробник : VISHAY |
IRL620STRLPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IRL620STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRL620STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |