на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.50 грн |
| 10+ | 139.94 грн |
| 100+ | 101.79 грн |
| 250+ | 100.26 грн |
| 500+ | 90.31 грн |
| 1000+ | 76.53 грн |
| 2000+ | 71.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL630PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL630PBF-BE3 за ціною від 66.80 грн до 195.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL630PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL630PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A |
товару немає в наявності |