Продукція > VISHAY > IRL640SPBF
IRL640SPBF

IRL640SPBF Vishay

sihl640s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL640SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRL640SPBF за ціною від 71.05 грн до 181.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.69 грн
10+89.20 грн
12+75.59 грн
33+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihl640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.23 грн
10+105.15 грн
500+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.23 грн
10+111.15 грн
12+90.71 грн
33+85.27 грн
250+84.36 грн
500+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013439295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.81 грн
10+151.41 грн
100+94.43 грн
500+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+170.09 грн
10+130.89 грн
25+103.69 грн
100+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
50+98.49 грн
100+98.15 грн
500+90.22 грн
1000+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+181.70 грн
88+139.82 грн
110+110.76 грн
120+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf N-Channel 200V 17A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.29 грн
10+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF
Код товару: 127205
Додати до обраних Обраний товар

sihl640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.