IRL640STRLPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL640STRLPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL640STRLPBF за ціною від 88.29 грн до 452.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL640STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRL640STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRL640STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRL640STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRL640STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 96.24 грн |
| 10+ | 94.68 грн |
| 25+ | 93.12 грн |
| 100+ | 88.29 грн |
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 96.24 грн |
| 150+ | 94.68 грн |
| 153+ | 93.12 грн |
| 155+ | 88.29 грн |
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.51 грн |
| 10+ | 159.80 грн |
| 100+ | 116.61 грн |
| 500+ | 90.78 грн |
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.81 грн |
| 10+ | 164.83 грн |
| 100+ | 115.72 грн |
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.59 грн |