IRL640STRLPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 66nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL640STRLPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL640STRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL640STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL640STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)