IRL640STRLPBF

IRL640STRLPBF Vishay Siliconix


sihl640s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+82.16 грн
1600+ 67.13 грн
2400+ 63.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL640STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL640STRLPBF за ціною від 54.11 грн до 161.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+101.75 грн
1600+ 92.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : VISHAY IRL640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.47 грн
10+ 105.44 грн
14+ 57.58 грн
39+ 54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihl640s.pdf MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.06 грн
10+ 119.47 грн
100+ 83.24 грн
250+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.95 грн
10+ 117.51 грн
100+ 93.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : VISHAY IRL640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.36 грн
10+ 131.39 грн
14+ 69.09 грн
39+ 64.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній