на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.87 грн |
10+ | 156.6 грн |
100+ | 109.6 грн |
250+ | 104.95 грн |
500+ | 95.65 грн |
800+ | 75.73 грн |
2400+ | 74.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL640STRRPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL640STRRPBF за ціною від 124.74 грн до 190.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||
IRL640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 68A Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||
IRL640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 68A Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |