IRL640STRRPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 97.49 грн |
| 1600+ | 92.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL640STRRPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL640STRRPBF за ціною від 89.26 грн до 215.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRL640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRL640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRL640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |