IRLB4030PBF
Код товару: 83396
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11360/87
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB4030PBF за ціною від 106.25 грн до 356.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
на замовлення 8168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 137.80 грн |
| 2000+ | 136.41 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 137.80 грн |
| 2000+ | 136.41 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 150.86 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.06 грн |
| 10+ | 164.17 грн |
| 20+ | 145.92 грн |
| 50+ | 126.03 грн |
| 100+ | 113.59 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 256.79 грн |
| 58+ | 247.01 грн |
| 100+ | 238.63 грн |
| 250+ | 223.12 грн |
| 500+ | 200.97 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 321.00 грн |
| 10+ | 172.49 грн |
| 100+ | 159.83 грн |
| 500+ | 133.37 грн |
| 1000+ | 122.26 грн |
| 2000+ | 116.19 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 321.00 грн |
| 82+ | 172.49 грн |
| 100+ | 159.83 грн |
| 500+ | 133.37 грн |
| 1000+ | 122.26 грн |
| 2000+ | 116.19 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 8168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 353.36 грн |
| 10+ | 225.28 грн |
| 100+ | 160.20 грн |
| 500+ | 124.31 грн |
| 1000+ | 115.95 грн |
| 2000+ | 108.92 грн |
| 5000+ | 106.25 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 354.79 грн |
| 80+ | 177.69 грн |
| 100+ | 163.69 грн |
| 500+ | 135.26 грн |
| 1000+ | 123.98 грн |
| 2000+ | 117.84 грн |
| 5000+ | 116.66 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 356.78 грн |
| 10+ | 178.68 грн |
| 100+ | 164.60 грн |
| 500+ | 136.01 грн |
| 1000+ | 124.68 грн |
| 2000+ | 118.50 грн |
| 5000+ | 117.31 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1602A 16x2 Character LCD Display синє підсвічування (на контролері HD44780) Код товару: 58369
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Winstar
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків / Розд. здатність матриці: 16x2
Габарити / Розмір точки: 80x36x14,5 mm
Кут огляду / Підсвітка: / синя
Контролер: HD44780
Примітка: кирилицю не підтримує
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків / Розд. здатність матриці: 16x2
Габарити / Розмір точки: 80x36x14,5 mm
Кут огляду / Підсвітка: / синя
Контролер: HD44780
Примітка: кирилицю не підтримує
Вид: Символьний
у наявності: 20 шт
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 90.00 грн |
| 10+ | 73.20 грн |
| 100+ | 64.44 грн |
| SILI150X220 Теплопровідна силіконова прокладка, L: 220 мм, W: 150 мм Код товару: 42355
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: NINIGI
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Силіконо-каучукова прокладка, L: 220мм, W: 150мм, міцність на пробій, хв.: 5 кV/mm, теплопровідність: 1 W/mK, робоча температура: -60... 200 ° C, клас горючості UL94V-0
Розмір: 220х150х0,23мм
Матеріал: Силікон
Колір: Сірий
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Силіконо-каучукова прокладка, L: 220мм, W: 150мм, міцність на пробій, хв.: 5 кV/mm, теплопровідність: 1 W/mK, робоча температура: -60... 200 ° C, клас горючості UL94V-0
Розмір: 220х150х0,23мм
Матеріал: Силікон
Колір: Сірий
у наявності: 98 шт
- 78 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 490.00 грн |
| AOS220 керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm Код товару: 42354
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fisher
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: Білий
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: Білий
у наявності: 300 шт
- 270 шт - склад
- 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
- 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| STW12NK90Z Код товару: 31985
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,88 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,88 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
- 28 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145.00 грн |
| 10+ | 133.00 грн |
| TL494CD Код товару: 4314
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: схема керування широтно-імпульсною модуляцією
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 0,2 А
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: схема керування широтно-імпульсною модуляцією
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 0,2 А
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.50 грн |
| 10+ | 7.40 грн |
| 100+ | 6.50 грн |












