Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLB4030PBF
IRLB4030PBF

IRLB4030PBF Infineon Technologies

infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLB4030PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLB4030PBF - MOSFET, N-KANAL 100V 180A TO220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLB4030PBF за ціною від 72.00 грн до 324.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+139.55 грн
500+133.01 грн
1000+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+139.55 грн
500+133.01 грн
1000+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+170.95 грн
85+155.68 грн
100+151.07 грн
500+118.14 грн
1000+99.59 грн
2000+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+188.04 грн
50+171.23 грн
100+166.17 грн
500+129.95 грн
1000+109.54 грн
2000+97.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.46 грн
10+163.74 грн
20+143.79 грн
50+122.18 грн
100+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+237.53 грн
58+228.49 грн
100+220.74 грн
250+206.39 грн
500+185.90 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.60 грн
10+128.64 грн
100+102.20 грн
500+83.55 грн
1000+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.02 грн
10+196.49 грн
20+172.55 грн
50+146.62 грн
100+129.66 грн
200+124.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+324.46 грн
79+167.46 грн
100+161.36 грн
500+140.46 грн
1000+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - MOSFET, N-KANAL 100V 180A TO220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.41 грн
10+147.43 грн
100+132.92 грн
500+100.99 грн
1000+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF
Код товару: 83396
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlb4030pbf_datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 3,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 11360/87
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+72.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Виробник : Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.