Продукція > VISHAY > IRLD024PBF
IRLD024PBF

IRLD024PBF Vishay


sihld24.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+23.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD024PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRLD024PBF за ціною від 30.11 грн до 143.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 272
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY IRLD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.77 грн
10+ 40.15 грн
25+ 35.85 грн
28+ 32.45 грн
76+ 30.19 грн
500+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY IRLD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.13 грн
6+ 50.03 грн
25+ 43.02 грн
28+ 38.94 грн
76+ 36.23 грн
500+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.2 грн
10+ 71.4 грн
100+ 62.85 грн
250+ 55.62 грн
500+ 47.24 грн
1000+ 42.55 грн
2000+ 41.79 грн
2500+ 36.75 грн
5000+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld24.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.94 грн
10+ 110.19 грн
100+ 87.68 грн
500+ 69.63 грн
1000+ 59.08 грн
2000+ 56.12 грн
5000+ 53.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihld24.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
на замовлення 7728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.63 грн
10+ 103.32 грн
100+ 80.42 грн
250+ 78.25 грн
500+ 70.79 грн
1000+ 57.09 грн
2500+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY sihld24.pdf Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.86 грн
10+ 104.04 грн
100+ 86.97 грн
500+ 73.96 грн
1000+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Транз. Пол. ММ N-HEXFET HD1 Udss=60V; Id=-2,5A; Pdmax=1,3W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.13 грн
10+ 33.69 грн
100+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD024PBF IRLD024PBF
Код товару: 104736
sihld24.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/18
Монтаж: THT
товар відсутній
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній