на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD024PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRLD024PBF за ціною від 20.90 грн до 174.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLD024PBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD024PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 2.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLD024PBF | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. ММ N-HEXFET HD1 Udss=60V; Id=-2,5A; Pdmax=1,3W; Rds=0,10 Ohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRLD024PBF Код товару: 104736
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 870/18 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
 |
IRLD024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |