IRLD120 Siliconix


sihld120.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 100V 1.3A 1.3W 0.27Ω IRLD120 TIRLD120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD120 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLD120

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD120 IRLD120
Код товару: 107905
sihld120.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLD120 IRLD120 Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRLD120 IRLD120 Виробник : Vishay Siliconix sihld120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній