на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 20.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRLD120PBF за ціною від 44.34 грн до 180.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLD120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLD120PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |