Продукція > VISHAY > IRLD120PBF
IRLD120PBF

IRLD120PBF Vishay

sihld120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD120PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLD120PBF за ціною від 22.6 грн до 126.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY IRLD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.17 грн
12+ 29.49 грн
25+ 26.5 грн
33+ 24.34 грн
90+ 23.64 грн
500+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY IRLD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 573 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.4 грн
8+ 36.74 грн
25+ 31.8 грн
33+ 29.21 грн
90+ 28.37 грн
500+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.4 грн
10+ 75.3 грн
100+ 67.26 грн
500+ 58.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+84.54 грн
10+ 79.91 грн
25+ 79.51 грн
50+ 76.28 грн
100+ 62.59 грн
250+ 56.56 грн
500+ 52.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+85.5 грн
145+ 81.09 грн
162+ 72.43 грн
500+ 62.48 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+91.04 грн
136+ 86.06 грн
137+ 85.62 грн
138+ 82.15 грн
156+ 67.4 грн
250+ 60.91 грн
500+ 56.73 грн
Мінімальне замовлення: 129
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+110.4 грн
114+ 103.44 грн
130+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 106
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.94 грн
10+ 89.78 грн
100+ 71.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihld120.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.73 грн
10+ 92.9 грн
100+ 66.76 грн
250+ 63.96 грн
500+ 56.21 грн
1000+ 47.13 грн
2500+ 47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY sihld120.pdf Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+126.57 грн
10+ 88.37 грн
100+ 72.42 грн
500+ 60.92 грн
1000+ 45.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)