Продукція > VISHAY > IRLD120PBF
IRLD120PBF

IRLD120PBF Vishay

sihld120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRLD120PBF за ціною від 24.73 грн до 183.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.85 грн
157+78.00 грн
158+77.57 грн
208+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.35 грн
185+66.44 грн
250+66.06 грн
500+57.31 грн
1000+47.57 грн
2500+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+93.66 грн
10+73.21 грн
25+72.43 грн
50+69.46 грн
100+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+109.46 грн
10+76.09 грн
100+61.39 грн
250+58.86 грн
500+49.03 грн
1000+42.20 грн
2500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF8FCFDEF4469&compId=IRLD120PBF.pdf?ci_sign=3c98dafd7f31072e78a7f61495fed3dc9d006c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.33 грн
10+59.81 грн
36+26.17 грн
99+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF8FCFDEF4469&compId=IRLD120PBF.pdf?ci_sign=3c98dafd7f31072e78a7f61495fed3dc9d006c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.00 грн
10+74.53 грн
36+31.40 грн
99+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.28 грн
10+101.92 грн
100+76.48 грн
500+59.57 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihld120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.