на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 140.2 грн |
| 10+ | 115.16 грн |
| 100+ | 79.45 грн |
| 250+ | 73.44 грн |
| 500+ | 66.76 грн |
| 1000+ | 58.15 грн |
| 2000+ | 54.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLI520GPBF Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.2A; Idm: 29A; 37W; TO220FP, Kind of package: tube, Power dissipation: 37W, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Case: TO220FP, Mounting: THT, Gate charge: 12nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 29A, On-state resistance: 0.38Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 7.2A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRLI520GPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLI520GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товар відсутній |
|
 |
IRLI520GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товар відсутній |
|
| IRLI520GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.2A; Idm: 29A; 37W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 29A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 7.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRLI520GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP |
товар відсутній |
|
| IRLI520GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.2A; Idm: 29A; 37W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 29A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 7.2A |
товар відсутній |