на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.94 грн |
| 10+ | 165.07 грн |
| 100+ | 114.83 грн |
| 250+ | 110.16 грн |
| 500+ | 95.47 грн |
| 1000+ | 75.44 грн |
| 2000+ | 72.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLI630GPBF Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP, Kind of package: tube, Power dissipation: 35W, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Case: TO220FP, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 25A, On-state resistance: 0.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 6.2A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRLI630GPBF за ціною від 87.8 грн до 197.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLI630GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLI630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRLI630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRLI630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRLI630GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 25A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 6.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRLI630GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 25A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 6.2A |
товар відсутній |