Продукція > VISHAY > IRLI640GPBF

IRLI640GPBF Vishay


doc91314.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLI640GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

Інші пропозиції IRLI640GPBF за ціною від 64.24 грн до 259.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.25 грн
91+156.11 грн
103+138.92 грн
250+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY IRLI640G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.91 грн
5+151.29 грн
10+126.92 грн
25+100.02 грн
50+85.73 грн
100+76.49 грн
250+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay Siliconix 91314.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.24 грн
50+172.79 грн
100+148.11 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay Semiconductors 91314.pdf MOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.99 грн
10+130.09 грн
100+93.57 грн
500+71.22 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY VISH-S-A0013608734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 25939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.06 грн
10+126.27 грн
100+105.91 грн
500+78.67 грн
1000+69.06 грн
5000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF doc91314.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF doc91314.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
79+181.25 грн
91+156.11 грн
103+138.92 грн
250+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640G.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+210.91 грн
5+151.29 грн
10+126.92 грн
25+100.02 грн
50+85.73 грн
100+76.49 грн
250+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF 91314.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+226.24 грн
50+172.79 грн
100+148.11 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF 91314.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+232.99 грн
10+130.09 грн
100+93.57 грн
500+71.22 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF VISH-S-A0013608734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 25939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+259.06 грн
10+126.27 грн
100+105.91 грн
500+78.67 грн
1000+69.06 грн
5000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF doc91314.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.