Продукція > VISHAY > IRLI640GPBF
IRLI640GPBF

IRLI640GPBF Vishay


91314.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.59 грн
138+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLI640GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRLI640GPBF за ціною від 58.57 грн до 236.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9929F15E8AAE0C7&compId=IRLI640G.pdf?ci_sign=aab52488761b7ed9216053c943ea62bdbb653f24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.84 грн
16+61.73 грн
42+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9929F15E8AAE0C7&compId=IRLI640G.pdf?ci_sign=aab52488761b7ed9216053c943ea62bdbb653f24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.81 грн
16+76.93 грн
42+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay Semiconductors 91314.pdf MOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.76 грн
10+121.46 грн
25+94.98 грн
100+88.14 грн
500+85.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay 91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.07 грн
8+96.44 грн
50+95.99 грн
100+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.65 грн
10+148.31 грн
100+131.26 грн
500+109.22 грн
1000+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay Siliconix 91314.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.71 грн
50+180.79 грн
100+154.96 грн
500+129.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay 91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay 91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Виробник : Vishay 91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.