Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRLL014TRPBF-BE3
IRLL014TRPBF-BE3

IRLL014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

sihll014.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.14 грн
10+62.27 грн
100+51.01 грн
2500+47.81 грн
5000+46.13 грн
25000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLL014TRPBF-BE3 за ціною від 56.27 грн до 192.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL014TRPBF-BE3 IRLL014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihll014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.48 грн
10+119.09 грн
100+81.33 грн
500+61.15 грн
1000+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 IRLL014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihll014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihll014.pdf IRLL014TRPBF-BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 IRLL014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihll014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihll014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.