IRLML0030TRPBF Infineon
Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10560 шт
- 8706 шт - склад
- 813 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 370 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 400 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 271 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
- 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0030TRPBF за ціною від 3.18 грн до 260.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 381833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
на замовлення 61685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg |
на замовлення 66141 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 381833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 13623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 13623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | TYS |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 755 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | HXY MOSFET |
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 235 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 5 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 3 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.31 грн |
| 9000+ | 6.05 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 381833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1528+ | 9.42 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 734+ | 19.62 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 31.45 грн |
| 26+ | 16.35 грн |
| 30+ | 14.27 грн |
| 50+ | 12.85 грн |
| 100+ | 11.60 грн |
| 138+ | 6.93 грн |
| 380+ | 6.51 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
на замовлення 61685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 16+ | 19.75 грн |
| 50+ | 14.30 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 8.78 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.92 грн |
| 32+ | 24.20 грн |
| 37+ | 20.81 грн |
| 100+ | 16.28 грн |
| 250+ | 14.47 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| 1000+ | 7.24 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 425+ | 33.92 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
на замовлення 66141 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.32 грн |
| 20+ | 15.90 грн |
| 100+ | 12.05 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 8.87 грн |
| 3000+ | 6.73 грн |
| 6000+ | 6.36 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 381833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.60 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 13623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 13623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 755 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 246+ | 3.18 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
на замовлення 235 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 10.03 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.00 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 260.01 грн |
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 125774 шт
- 102383 шт - склад
- 11801 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7490 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5000 шт
- 5000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4616 шт
- 4230 шт - склад
- 386 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 992 шт
- 799 шт - склад
- 101 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 41 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| 1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo) Код товару: 85265
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 103441 шт
- 97017 шт - склад
- 1724 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4700 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 50000 шт
- 50000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 0.50 грн |
| 160+ | 0.13 грн |
| 1000+ | 0.10 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |









