IRLML0030TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.11 грн |
| 6000+ | 6.23 грн |
| 9000+ | 5.91 грн |
| 15000+ | 5.21 грн |
| 21000+ | 5.01 грн |
| 30000+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML0030TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML0030TRPBF за ціною від 2.90 грн до 44.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLML0030TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg |
на замовлення 149974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
на замовлення 41750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML0030TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Виробник : UMW |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 5,3 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
 |
IRLML0030TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |