IRLML0030TRPBF Infineon
Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2885 шт
- 1009 шт - склад
- 936 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 480 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0030TRPBF за ціною від 3.18 грн до 104.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 15711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 15569 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 381933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 381933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
на замовлення 123402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 15711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg |
на замовлення 128033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | TYS |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | HXY MOSFET |
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 235 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.27 грн |
| 6000+ | 8.11 грн |
| 9000+ | 7.70 грн |
| 15000+ | 6.79 грн |
| 21000+ | 6.53 грн |
| 30000+ | 6.28 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.00 грн |
| 6000+ | 9.89 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.00 грн |
| 6000+ | 9.89 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 15711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.67 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 9.46 грн |
| 5000+ | 7.59 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 656+ | 21.63 грн |
| 680+ | 20.85 грн |
| 1000+ | 20.17 грн |
| 2500+ | 18.87 грн |
| 5000+ | 17.00 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 487+ | 29.13 грн |
| 741+ | 19.15 грн |
| 749+ | 18.95 грн |
| 989+ | 13.82 грн |
| 1108+ | 11.42 грн |
| 3000+ | 8.66 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.69 грн |
| 19+ | 22.93 грн |
| 22+ | 19.78 грн |
| 100+ | 13.79 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| 1000+ | 8.31 грн |
| 3000+ | 6.65 грн |
| 6000+ | 6.15 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 381933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 37.34 грн |
| 100+ | 23.69 грн |
| 500+ | 17.14 грн |
| 1000+ | 14.17 грн |
| 3000+ | 11.52 грн |
| 6000+ | 10.47 грн |
| 9000+ | 9.94 грн |
| 15000+ | 9.33 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 381933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 378+ | 37.59 грн |
| 595+ | 23.86 грн |
| 792+ | 17.90 грн |
| 1000+ | 15.41 грн |
| 3000+ | 12.08 грн |
| 6000+ | 10.55 грн |
| 9000+ | 10.00 грн |
| 15000+ | 9.40 грн |
| 21000+ | 9.04 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
на замовлення 123402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.94 грн |
| 13+ | 24.83 грн |
| 100+ | 15.74 грн |
| 500+ | 11.08 грн |
| 1000+ | 9.89 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 15711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 42.44 грн |
| 32+ | 25.93 грн |
| 100+ | 16.67 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 9.46 грн |
| 5000+ | 7.59 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 48.99 грн |
| 26+ | 29.13 грн |
| 100+ | 18.46 грн |
| 250+ | 16.92 грн |
| 500+ | 12.29 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| 3000+ | 8.66 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
на замовлення 128033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.97 грн |
| 10+ | 41.84 грн |
| 100+ | 23.06 грн |
| 500+ | 14.22 грн |
| 1000+ | 10.49 грн |
| 3000+ | 9.32 грн |
| 6000+ | 8.08 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 3.18 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
на замовлення 235 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.08 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.40 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.01 грн |
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 270741 шт
- 240390 шт - склад
- 14451 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: -12 V
Струм стоку Id, A: -4,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: -12 V
Струм стоку Id, A: -4,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13792 шт
- 13625 шт - склад
- 167 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 3,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 388/4.8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 3,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 388/4.8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 864 шт
- 718 шт - склад
- 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 117293 шт
- 108004 шт - склад
- 3174 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3920 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 755 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| 1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo) Код товару: 85265
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 54634 шт
- 48900 шт - склад
- 2824 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2000 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 610 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |









