
IRLML0040TRPBF

Код товару: 38411
Виробник: IRUds,V: 40 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 0,056 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 266/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 2019 шт:
2000 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6.00 грн |
10+ | 5.00 грн |
100+ | 4.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0040TRPBF за ціною від 4.46 грн до 39.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 25 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 49656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 25 V |
на замовлення 44067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 49656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 312 шт
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 9.00 грн |
10+ | 8.00 грн |
100+ | 7.20 грн |
1000+ | 6.50 грн |
IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 258 шт
74 шт - склад
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується 18.05.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6.00 грн |
10+ | 5.10 грн |
100+ | 4.50 грн |
1000+ | 4.20 грн |
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 23708 шт
22503 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.00 грн |
100+ | 2.90 грн |
IRLML0060TRPBF Код товару: 38412
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3243 шт
3043 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 4.50 грн |
10+ | 4.00 грн |
100+ | 3.60 грн |
1000+ | 3.20 грн |
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 9062 шт
6907 шт - склад
612 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
1385 шт - РАДІОМАГ-Одеса
612 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
1385 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 5.60 грн |
100+ | 5.00 грн |
1000+ | 4.20 грн |