Інші пропозиції IRLML2244TRPBF за ціною від 4.89 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 21965 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2244TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2244TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon |
SOT-23 Транзистори |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16, Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В, Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 21965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.47 грн |
| 23+ | 18.49 грн |
| 100+ | 10.70 грн |
| 500+ | 7.79 грн |
| 1000+ | 6.96 грн |
| 3000+ | 5.89 грн |
| 6000+ | 5.47 грн |
| 9000+ | 5.22 грн |
| 21000+ | 4.89 грн |
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.22 грн |
| 17+ | 18.06 грн |
| 100+ | 11.41 грн |
| 500+ | 7.98 грн |
| 1000+ | 7.10 грн |
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
SOT-23 Транзистори
SOT-23 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 11.20 грн |
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16, Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В, Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16, Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В, Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
З цим товаром купують
| Світлодіод 5050 (5х5х1,6мм) RGB 120 ° (GNL-5050UEUGUBC G-Nor) Код товару: 44946
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: G-Nor
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: RGB
Типорозмір: 5050
Лінза: Прозора
Падіння напруги: 2,0/3,2/3,2 В
Сила світла: 750/2600/500 mcd
Кут свічення: 120°
Довжина хвилі: 635/525/470 нм
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: RGB
Типорозмір: 5050
Лінза: Прозора
Падіння напруги: 2,0/3,2/3,2 В
Сила світла: 750/2600/500 mcd
Кут свічення: 120°
Довжина хвилі: 635/525/470 нм
у наявності: 18 шт
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
12
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4723 шт
- 4187 шт - склад
- 485 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 1000uF 6,3V ELV SMD sizeE 8x10.5 (ELV102M0JRE) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 30330
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 1000 мкФ
Номінальна напруга: 6,3 В
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°С
Типорозмір, габарити: SMD size E
Макс. пульсуючий струм: 430 мА
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 1000 мкФ
Номінальна напруга: 6,3 В
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°С
Типорозмір, габарити: SMD size E
Макс. пульсуючий струм: 430 мА
у наявності: 1138 шт
- 1008 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 79 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.70 грн |
| 1000+ | 5.20 грн |
| 43 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-43K0-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4673
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 43 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 43 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 19980 шт
- 18700 шт - склад
- 680 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 56 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-56K0-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4665
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 56 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 56 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 7270 шт
- 2800 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1570 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7220 шт
- 7220 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |









