Продукція > UMW > IRLML2803TR

IRLML2803TR UMW


IRLML2803.pdf Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML2803TR UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLML2803TR за ціною від 6.45 грн до 6.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLML2803TR Виробник : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLML2803TR Виробник : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLML2803 TR Виробник : IR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRLML2803TR IRLML2803TR Виробник : Infineon Technologies irlml2803.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IRLML2803TR IRLML2803TR Виробник : Infineon Technologies IRLML2803.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
товар відсутній