IRLML2803TR UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 4.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML2803TR UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRLML2803TR UMW
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLML2803TRPBF Код товару: 27051
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 30 V Idd,A: 1,2 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 1046 шт
723 шт - склад
55 шт - РАДІОМАГ-Київ 40 шт - РАДІОМАГ-Львів 95 шт - РАДІОМАГ-Харків 78 шт - РАДІОМАГ-Одеса 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRLML2803TR за ціною від 6.96 грн до 6.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML2803TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLML2803TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLML2803 TR | Виробник : IR |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
![]() |
IRLML2803TR Код товару: 193658
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Китай |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 1,2 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|||||
![]() |
IRLML2803TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRLML2803TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |