Продукція > UMW > IRLML2803TR

IRLML2803TR UMW

IRLML2803.pdf Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML2803TR UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.

Можливі заміни IRLML2803TR UMW

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF
Код товару: 27051
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 923 шт
688 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
95 шт - РАДІОМАГ-Харків
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLML2803TR за ціною від 6.64 грн до 6.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2803TR Виробник : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TR Виробник : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803 TR Виробник : IR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TR IRLML2803TR
Код товару: 193658
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Китай IRLML2803.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TR IRLML2803TR Виробник : Infineon Technologies irlml2803.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TR IRLML2803TR Виробник : Infineon Technologies IRLML2803.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.