IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.23 грн |
| 6000+ | 6.32 грн |
| 9000+ | 5.99 грн |
| 15000+ | 5.28 грн |
| 21000+ | 5.07 грн |
| 30000+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 4.73 грн до 44.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 325951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 64766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Виробник : HXY MOSFET |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
|
на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRLML5203TRPBF | Виробник : --- |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Виробник : TYS |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRLML5203TR(PBF) | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 98 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |