IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 665+ | 21.28 грн |
| 690+ | 20.52 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| 2500+ | 18.57 грн |
| 5000+ | 16.74 грн |
| 10000+ | 15.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 6.14 грн до 45.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 322951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 322951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | HXY MOSFET |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
|
на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 322951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 562+ | 25.20 грн |
| 835+ | 16.95 грн |
| 1115+ | 12.69 грн |
| 1173+ | 11.63 грн |
| 3000+ | 8.16 грн |
| 6000+ | 6.92 грн |
| 9000+ | 6.14 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 546+ | 25.95 грн |
| 887+ | 15.96 грн |
| 895+ | 15.80 грн |
| 1115+ | 12.24 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 38.69 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 322951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.02 грн |
| 30+ | 25.20 грн |
| 100+ | 16.95 грн |
| 500+ | 12.24 грн |
| 1000+ | 10.77 грн |
| 3000+ | 7.83 грн |
| 6000+ | 6.92 грн |
| 9000+ | 6.14 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.26 грн |
| 29+ | 26.21 грн |
| 30+ | 25.95 грн |
| 100+ | 15.39 грн |
| 250+ | 14.11 грн |
| 500+ | 10.88 грн |
| 1000+ | 6.38 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.29 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 239 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 24.70 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 4 дні (днів)




