Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLML5203TRPBF
IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 76400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.37 грн
6000+6.44 грн
9000+6.11 грн
15000+5.38 грн
21000+5.17 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML5203TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 6.23 грн до 45.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.23 грн
690+20.47 грн
1000+19.80 грн
2500+18.53 грн
5000+16.70 грн
10000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.32 грн
100+17.04 грн
500+12.75 грн
1000+11.68 грн
3000+8.19 грн
6000+6.95 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
558+25.32 грн
829+17.04 грн
1108+12.75 грн
1165+11.68 грн
3000+8.19 грн
6000+6.95 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 558 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 77967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
15+19.88 грн
100+12.61 грн
500+8.85 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.16 грн
29+26.15 грн
30+25.89 грн
102+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF HXY MOSFET infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 239 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
20+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
на замовлення 20790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
665+21.23 грн
690+20.47 грн
1000+19.80 грн
2500+18.53 грн
5000+16.70 грн
10000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.32 грн
100+17.04 грн
500+12.75 грн
1000+11.68 грн
3000+8.19 грн
6000+6.95 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
558+25.32 грн
829+17.04 грн
1108+12.75 грн
1165+11.68 грн
3000+8.19 грн
6000+6.95 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 558 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 77967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.02 грн
15+19.88 грн
100+12.61 грн
500+8.85 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.16 грн
29+26.15 грн
30+25.89 грн
102+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
Виробник: HXY MOSFET
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 239 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
на замовлення 20790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.