IRLML6344TRPBF


irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Код товару: 42697
10 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4658 шт
  • 4657 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 600 шт
  • 600 шт - очікується
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML6344TRPBF за ціною від 4.87 грн до 47.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
6000+7.91 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.30 грн
606+23.42 грн
1000+22.65 грн
2500+21.20 грн
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.09 грн
250+18.33 грн
1000+11.35 грн
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+27.42 грн
817+17.37 грн
1085+13.07 грн
1221+11.20 грн
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.49 грн
20+21.10 грн
50+14.96 грн
100+12.94 грн
200+11.26 грн
500+9.41 грн
1000+8.24 грн
3000+6.81 грн
6000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
13+24.28 грн
100+15.39 грн
500+10.83 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML6344_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.77 грн
12+26.82 грн
100+16.62 грн
500+11.87 грн
1000+10.12 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.25 грн
50+25.09 грн
250+18.33 грн
1000+11.35 грн
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF International Rectifier/Infineon irlml6344pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF Infineon irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
22+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.04 грн
6000+7.91 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
584+24.30 грн
606+23.42 грн
1000+22.65 грн
2500+21.20 грн
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.09 грн
250+18.33 грн
1000+11.35 грн
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
517+27.42 грн
817+17.37 грн
1085+13.07 грн
1221+11.20 грн
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+33.49 грн
20+21.10 грн
50+14.96 грн
100+12.94 грн
200+11.26 грн
500+9.41 грн
1000+8.24 грн
3000+6.81 грн
6000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
13+24.28 грн
100+15.39 грн
500+10.83 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF Infineon_IRLML6344_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.77 грн
12+26.82 грн
100+16.62 грн
500+11.87 грн
1000+10.12 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+47.25 грн
50+25.09 грн
250+18.33 грн
1000+11.35 грн
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
7 Додати до обраних Обраний товар
IRLML6402.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7790 шт
  • 6119 шт - склад
  • 62 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 334 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 928 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 347 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
9 Додати до обраних Обраний товар
irlml6401pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13816 шт
  • 13649 шт - склад
  • 167 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 272341 шт
  • 241790 шт - склад
  • 14451 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 874 шт
  • 728 шт - склад
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Код товару: 67047
1 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 3881 шт
  • 3799 шт - склад
  • 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.