IRLML6346TRPBF
Код товару: 48281
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1367 шт:
1069 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
250 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.20 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML6346TRPBF за ціною від 5.41 грн до 50.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 |
на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 |
на замовлення 47432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable |
на замовлення 28183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon |
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 7.64 грн |
| 18000+ | 6.62 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.07 грн |
| 6000+ | 7.04 грн |
| 9000+ | 6.67 грн |
| 15000+ | 5.87 грн |
| 21000+ | 5.64 грн |
| 30000+ | 5.41 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 560+ | 25.21 грн |
| 581+ | 24.31 грн |
| 1000+ | 23.51 грн |
| 2500+ | 22.00 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 526+ | 26.86 грн |
| 832+ | 16.97 грн |
| 1112+ | 12.70 грн |
| 1244+ | 10.94 грн |
| 3000+ | 6.81 грн |
| 6000+ | 6.45 грн |
| 9000+ | 5.56 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.24 грн |
| 250+ | 17.23 грн |
| 1000+ | 10.67 грн |
| 3000+ | 7.24 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 28.26 грн |
| 23+ | 18.96 грн |
| 50+ | 12.95 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 6.69 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 47432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 14+ | 21.94 грн |
| 100+ | 13.85 грн |
| 500+ | 9.71 грн |
| 1000+ | 8.64 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.27 грн |
| 50+ | 18.95 грн |
| 250+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 9.98 грн |
| 3000+ | 6.79 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
на замовлення 28183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.79 грн |
| 10+ | 35.02 грн |
| 100+ | 19.27 грн |
| 500+ | 11.89 грн |
| 1000+ | 8.79 грн |
| 3000+ | 7.81 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.82 грн |
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 279941 шт
247990 шт - склад
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5871 шт
5871 шт - склад
очікується:
6000 шт
6000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| PIC16F676-I/SL Код товару: 42811
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SO-14
Короткий опис: 14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontroller
Живлення, В: 2,0...5,5 V
Тип ядра: PIC16
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SO-14
Короткий опис: 14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontroller
Живлення, В: 2,0...5,5 V
Тип ядра: PIC16
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 110 шт
97 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 86.00 грн |
| 10+ | 78.50 грн |
| IRLML6302TRPBF Код товару: 45727
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 0,78 A
Rds(on),Om: 0,60 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 0,78 A
Rds(on),Om: 0,60 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2296 шт
2128 шт - склад
157 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
157 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3753 шт
3509 шт - склад
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |










