IRLML6346TRPBF


infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Код товару: 48281
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1367 шт:

1069 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
250 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.20 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML6346TRPBF за ціною від 5.41 грн до 50.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.64 грн
18000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
6000+7.04 грн
9000+6.67 грн
15000+5.87 грн
21000+5.64 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+25.21 грн
581+24.31 грн
1000+23.51 грн
2500+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+26.86 грн
832+16.97 грн
1112+12.70 грн
1244+10.94 грн
3000+6.81 грн
6000+6.45 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.24 грн
250+17.23 грн
1000+10.67 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6346pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
23+18.96 грн
50+12.95 грн
100+10.92 грн
500+7.70 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 47432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
14+21.94 грн
100+13.85 грн
500+9.71 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.27 грн
50+18.95 грн
250+16.08 грн
1000+9.98 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML6346_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
на замовлення 28183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.79 грн
10+35.02 грн
100+19.27 грн
500+11.89 грн
1000+8.79 грн
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF Infineon infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+7.64 грн
18000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.07 грн
6000+7.04 грн
9000+6.67 грн
15000+5.87 грн
21000+5.64 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
560+25.21 грн
581+24.31 грн
1000+23.51 грн
2500+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
526+26.86 грн
832+16.97 грн
1112+12.70 грн
1244+10.94 грн
3000+6.81 грн
6000+6.45 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.24 грн
250+17.23 грн
1000+10.67 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+28.26 грн
23+18.96 грн
50+12.95 грн
100+10.92 грн
500+7.70 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
на замовлення 47432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.18 грн
14+21.94 грн
100+13.85 грн
500+9.71 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+41.27 грн
50+18.95 грн
250+16.08 грн
1000+9.98 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF Infineon_IRLML6346_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
на замовлення 28183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.79 грн
10+35.02 грн
100+19.27 грн
500+11.89 грн
1000+8.79 грн
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Виробник: Infineon
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
19+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 279941 шт
247990 шт - склад
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
4 Додати до обраних Обраний товар
infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5871 шт
5871 шт - склад
очікується: 6000 шт
6000 шт - очікується 05.07.2026
КількістьЦіна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PIC16F676-I/SL
Код товару: 42811
Додати до обраних Обраний товар
pic16f676-i-sl-datasheet.pdf
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SO-14
Короткий опис: 14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontroller
Живлення, В: 2,0...5,5 V
Тип ядра: PIC16
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 110 шт
97 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+86.00 грн
10+78.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF
Код товару: 45727
1 Додати до обраних Обраний товар
datasheet-irlml6302pbf.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 0,78 A
Rds(on),Om: 0,60 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2296 шт
2128 шт - склад
157 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.80 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877
1 Додати до обраних Обраний товар
taj-776811-datasheet.pdf
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3753 шт
3509 шт - склад
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+6.50 грн
10+5.40 грн
100+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.