Продукція > IR > IRLML6401 TR

IRLML6401 TR



Виробник: IR

на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6401 TR IR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції IRLML6401 TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML6401TR International Rectifier/Infineon IRLML6401.pdf P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401TR Infineon Technologies IRLML6401.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.