IRLML6401TR UMW
Виробник: UMWTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6401TR UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.
Інші пропозиції IRLML6401TR за ціною від 3.18 грн до 6.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6401TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR | Виробник : KEXIN |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR | Виробник : VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 866 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6401 TR | Виробник : IR |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
 |
IRLML6401TR Код товару: 53008
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||
| IRLML6401TR | Виробник : IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRLML6401TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
товару немає в наявності |