Продукція > VISHAY > IRLR014PBF
IRLR014PBF

IRLR014PBF Vishay

sihlr014.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+87.21 грн
187+78.74 грн
220+66.63 грн
525+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 168 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR014PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

Інші пропозиції IRLR014PBF за ціною від 24.45 грн до 160.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.37 грн
75+78.88 грн
150+66.74 грн
525+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+112.46 грн
10+86.18 грн
38+25.81 грн
103+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.41 грн
127+116.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 14530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+153.61 грн
10+68.09 грн
100+48.60 грн
500+42.28 грн
1000+37.09 грн
3000+36.72 грн
9000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.29 грн
10+98.72 грн
75+69.77 грн
150+58.84 грн
525+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Description: VISHAY - IRLR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.37 грн
75+78.88 грн
150+66.74 грн
525+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+112.46 грн
10+86.18 грн
38+25.81 грн
103+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+147.41 грн
127+116.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 14530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.61 грн
10+68.09 грн
100+48.60 грн
500+42.28 грн
1000+37.09 грн
3000+36.72 грн
9000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.29 грн
10+98.72 грн
75+69.77 грн
150+58.84 грн
525+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.