
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 17.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR014PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR014PBF за ціною від 19.28 грн до 88.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 31A |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 31A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 33036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLR014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |