Продукція > VISHAY > IRLR014TRPBF
IRLR014TRPBF

IRLR014TRPBF Vishay


sihlr014.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR014TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRLR014TRPBF за ціною від 30.20 грн до 92.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay doc91321.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay doc91321.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.85 грн
500+40.72 грн
1000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.88 грн
10+52.29 грн
100+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.94 грн
10+57.73 грн
25+50.13 грн
100+40.06 грн
500+36.40 грн
1000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.05 грн
50+62.17 грн
100+44.85 грн
500+40.72 грн
1000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay doc91321.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : Vishay doc91321.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.